低温烧结铜浆是一种由铜颗粒、有机溶剂、粘结料等组成的导电浆料，其烧结温度相对较低，一般低于 800℃，有的甚至可在低于 300℃的温度下实现烧结。

低温烧结铜浆的配方精妙地将微米铜粉与纳米铜粉相互融合，同时把片状铜粉和球形铜粉进行科学复配，以此构建出独特的铜粉体系，从而达成理想的低温烧结性能和综合应用效果。

提高烧结活性

纳米铜粉具有较高的比表面积。纳米尺度的颗粒表面原子数占比较大，其表面能较高，在烧结过程中，原子扩散速度快。微米铜粉则能提供良好的填充性能，使铜浆整体结构稳定。二者复配，纳米铜粉可以在相对较低的温度下启动烧结过程，利用其高活性促进颗粒间的结合，微米铜粉在纳米铜粉的带动下也能更好地完成烧结，从而降低整体烧结温度。

改善铜浆的流动性和铺展性

片状铜粉具有良好的二维平面结构。它在铜浆体系中能够像鳞片一样相互堆叠、搭接，有效减少铜浆内部的空隙，并且片状铜粉能够在基底表面更好地铺展。球形铜粉则具有良好的流动性，能使铜浆在混合和涂覆过程中易于操作。将片状铜粉和球形铜粉复配，可以综合两者的优点，使铜浆在涂覆时能够均匀地分布在基底上，有利于在低温下实现良好的烧结效果。

优化烧结后的性能

这种复配方式可以调整烧结体的微观结构。在烧结过程中，不同形状和尺寸的铜粉相互作用，能够形成更加致密的结构。片状铜粉可以在一定程度上阻止烧结过程中可能出现的过度收缩和孔隙的形成，球形铜粉有助于填充间隙，使烧结后的铜层具有良好的导电性和机械性能，而且通过合理复配能在低温烧结条件下达到比较理想的性能，满足实际应用的要求。

安特普纳公司积极布局电子行业，全力助力中国智造，为电子封装领域提供性能优异的纳米、亚微米及微米级，片状及球形专用铜粉。

电子级纳米亚微米级铜粉

电子级球形及片状铜粉

低温烧结的铜浆在电子封装领域有诸多应用，例如：

多层陶瓷电容器（MLCC）封装

作为端电极材料：MLCC 通常需要在相对较低的温度下进行封装，以避免对陶瓷介质层造成不良影响。低温烧结铜浆可以在较低温度下形成良好的导电电极，与陶瓷基体牢固结合，保证电极的致密性和可靠性，从而实现电容器内部电极与外部电路的有效连接。

柔性电子封装

适应柔性基底：在柔性电子设备中，如柔性显示屏、可穿戴设备等，基底材料通常具有较低的耐热温度。低温烧结铜浆能够在较低温度下完成烧结，与柔性基底良好适配，形成稳定的导电线路和电极，保证柔性电子器件在弯曲、拉伸等变形情况下仍具有可靠的电气性能，为柔性电子技术的发展提供了关键的封装材料支持。

晶圆级封装

制作再分布层（RDL）：晶圆级封装中，低温烧结铜浆可用于制作再分布层，实现芯片上焊点与封装基板或其他芯片之间的重新布局和互连。通过低温烧结工艺，可以在不影响晶圆上已有器件性能的前提下，形成精细的铜线路，提高封装的集成度和灵活性，满足现代电子设备对小型化、高性能封装的需求。

功率芯片封装

实现芯片与基板的互连：对于功率芯片而言，低温烧结铜浆可用于芯片与基板之间的连接，在满足电气连接要求的同时，能够承受芯片工作时产生的较大电流和热量。其较低的烧结温度有助于降低封装过程中的热应力，减少对芯片和基板的损伤，提高封装的可靠性和稳定性，且相比传统的银烧结，成本更低，有助于降低整体封装成本。

三维集成电路封装

构建垂直互连结构：在三维集成电路封装中，需要实现不同层芯片之间的垂直互连。低温烧结铜浆能够在低温下形成高质量的导电通路，连接不同层的芯片，满足三维封装中对互连结构的高性能要求，有助于实现更高的集成密度和更短的信号传输路径，提高芯片的整体性能。

作为一家精细化工产品的经销商，安特普纳公司提供性能优异的纳米、亚微米及微米级，片状及球形专用铜粉，该产品技术领先，可用于制备低温烧结铜浆等多种用途。