安特普纳公司近日参加了在苏州举办的第二届光伏少银/ 无银技术论坛 2025。本次论坛聚焦于光伏产业突破银资源瓶颈的核心议题，行业共识显示，少银化与无银化已从技术探索阶段迈向规模化应用的关键转折期。我们将从核心观点与技术路径两方面展开分析：

行业核心共识

1、白银资源瓶颈倒逼技术革新

国际白银价格在 2025 年 6 月创 13 年新高，光伏银耗占全球白银需求比例预计 2035 年将达 30%。高效电池技术（如 HJT、TOPCon、XBC）的普及进一步加剧银需求压力，N 型电池银耗普遍为 PERC 的 2-3 倍。行业亟需通过贱金属替代与工艺革新实现 “去银化”降本，促进光伏行业可持续发展。

2、贱金属替代的选项

铜跟银的熔点接近，与硅片的接触性能良好，地球储量丰富，是最具潜力的替代金属，但要解决铜的氧化和迁移的问题；镍的电阻率比银大 3-4 倍，易与硅片形成低阻硅镍化物欧姆接触，适合作阻挡层和接触材料或背电极，也是银替代的选择之一。

少银化核心路径

1、银包铜浆料规模化应用

镀银铜粉技术难点：通过降低镀银铜粉银含量，使银浆的银含量不断下降，目前HJT电池片已经将 10% 银含的银包铜浆料导入大规模量产，镀银铜粉是通过化学镀工艺在铜粉表面形成致密银层，但随着镀银铜粉中银层的包覆厚度越来越薄，从 15% 银含量的 100纳米左右，到 10% 银含量的 60-70 纳米，对于化学镀工艺提出了挑战，同时对镀银铜粉的抗氧化性能和环境可靠性提出了严苛的要求。

2、工艺优化与材料创新

细线印刷技术：通过 10μm 以下极细栅线（如并行点胶、柔性轨迹印刷）减少遮光损失，银浆湿重降低 10%-15%。智能检测仪通过实时校准提升印刷均匀性，进一步降低银耗。

低温银浆迭代：低温烧结纳米银浆（如120℃烧结）在适配 HJT 等低温工艺的同时，电阻率低至 5.3×10??Ω?cm，提升导电性。

3、结构设计与设备升级

无主栅技术：取消主栅并采用导电丝互联，结合银包铜浆料可降低银耗 20%-40%。新型网栅膜方案实现 “0 焊接、0 隐裂”，组件碳足迹低于 400kg CO?/kWc。

激光转印与电镀协同：无籽铜电镀技术通过省略种子层，将栅线无效区域占比从 50% 降至 10% 以下，金属化成本降低 30%。

无银化核心路径

无银化：全铜浆和电镀铜

1、铜浆的技术难点：解决铜氧化和铜迁移的问题

铜的导电性能良好，但铜的扩散性较好，因此如果烧结温度升高，必须增加铜离子扩散阻挡层。

1）高温铜浆中铜颗粒需要三层包裹：

a 金属阻挡层（防止氧化阻挡层与金属颗粒之间形成合金）

b 氧化阻挡层（保护铜不被氧化）

c 扩散阻挡层（阻止铜扩散出直接接触硅）

还需要:

a 特种玻璃料腐蚀SiNx/Al2O3膜

b 形成接触金属籽晶(再生铜晶粒)

c 能施以LECO烧结

2）低温铜浆中铜颗粒需要一层包裹：

氧化阻挡层（保护铜不被氧化）

2、铜浆技术难点的解决方案

1）铜浆的抗氧化技术

a 金属钝化：银等惰性金属

b 无机钝化：碳/石墨烯、氧化硅等

c 有机钝化：聚合物、小配体

d 复合钝化

2)铜浆的烧结技术与方案

烧结技术方案要考虑的因素：

a 初始氧化状态

b 堆积密度与促进致密化

c 氧化还原平衡：配方设计

d 烧结驱动力：热驱动、压力驱动、表面能驱动

e 烧结气氛：空气/低氧/惰性/还原

f 可量产的烧结设备与条件(温度/时间/气氛/压力)

3)铜扩散阻挡

HJT/HBC低温电池：TCO阻挡层，同时实现欧姆接触与阻挡铜

扩散TOPCon/TBC种子阻挡层：

?满足TOPCon激光增强烧结欧姆接触与TBC欧姆接触

?阻挡铜扩散

?兼顾双面率

?成本、产能、良率

4)从“银”到“铜”的挑战

用铜浆代替银浆是一个系统优化工程，不光是铜颗粒的抗氧化，铜浆的烧结方案，铜的防扩散，还包括铜浆的印刷，铜浆与硅片的互联，以及电池片的封装，只有以上几方面都协同优化，光伏电池才能显现出突出的光电转化率，稳定的环境可靠性。

3、电镀铜技术量产突破

工艺革新：铜互联整线解决方案在 TOPCon 电池上实现银耗 < 1mg/W，光电转换效率达 26.6%。GW 级 HJT 中试线攻克 15μm 铜栅线量产技术，解决柔性接触与连续电镀工艺难点。

成本优势：铜材料成本仅为银的 1%，TOPCon 电池铜浆单耗成本可降至 0.05 元 / W（传统银浆 0.15 元 / W）。

安特普纳公司积极布局太阳能光伏行业，全力助力中国智造，为光伏浆料领域提供性能优异的低银含量镀银铜粉，纳米/亚微米铜粉，微米铜粉，纳米/亚微米镍粉，微米镍粉。